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近日长鑫存储技术有限公司公开多项专利，其中一条名称为“半导体光刻补偿方法”，公开号为 CN114675505A。

专利摘要显示，本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体光刻补偿方法，包括：通过机台组合对晶圆进行光刻，机台组合至少包括第一机台和第二机台；通过第一机台进行光刻得到第一曝光结构；获取第一曝光结构的套刻误差的第一测量值；根据第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿。在进行半导体结构的制作过程中，可以通过测量第一机台加工形成的第一曝光结构的套刻误差，将第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿，以便得到第二机台的最优下货值，后续第二机台进行光刻时，第二机台根据其最优下货值进行光刻加工，有利于保证后续第二机台加工形成的曝光结构的套刻误差准确性，从而减少重工次数。

据官网资料，长鑫存储技术有限公司的事业 2016 年在安徽合肥启动。公司目前已建成第一座 12 英寸晶圆厂并投产，是规模最大、技术最先进的中国大陆 DRAM 设计制造一体化企业。

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