与台积电和英特尔一样，三星集团也是要在美国新建芯片制造设施的三家企业之一。WCCFTech 指出，目前三星正处于评估不同城市设施配套状况的选址阶段。此外据韩媒报道，三星副董事长李在镕最早将于下周前往美国，以敲定最终价值 170 亿美元的芯片制造工厂的厂址。

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德克萨斯州奥斯汀工厂（图自：Samsung 官网）

消息称，三星将在德克萨斯州、亚利桑那州和纽约州三地之中选建新芯片制造工厂。自今年 3 月以来，相关审议工作一直在缓慢地推进。

当时恰逢奥斯汀工厂遭遇停电危机，于是三星向当局呈递了一份新提案，要求为新工厂建设提供税收优惠。但也正是在这份文件中，三星概述了要将纽约州和亚利桑那州纳入备选。

如果顺利建成，新工厂有望用上先进的 3nm 半导体制造工艺。目前处于 5nm 领先地位的台积电，亦计划明年开始量产下一代 3nm 工艺。

（图自：Samsung Electronics）

不过三星和台积电并不是一条道上的选手，因为两家公司选择了不同的晶体管设计方案。台积电坚持传统 FinFET，而三星计划采用 2018 年与 IBM 联合开发的 GAAFET 。

韩联社指出，李在镕预计最早下周访问美国，但目前三星方面尚未确认该高管的行程。在因受贿罪入狱七个月后，其目前正处于假释阶段。

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